型号 | SPI21N10 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 100V 21A TO-262 |
SPI21N10 PDF | |
代理商 | SPI21N10 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
产品目录绘图 | Mosfets TO-262 |
标准包装 | 50 |
系列 | SIPMOS® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 15A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 44µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38.4nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 865pF @ 25V |
功率 - 最大 | 90W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | SP000013843 SPI21N10-ND SPI21N10IN SPI21N10X SPI21N10XK |